英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。公司的主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）的氮化鎵功率器件，產(chǎn)品設(shè)計及性能均達到國際先進水平。英諾賽科已在激光雷達、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED 燈照明驅(qū)動等方面發(fā)布產(chǎn)品方案，并與國內(nèi)多家應用頭部企業(yè)開展深度合作，實現(xiàn)量產(chǎn)。英諾賽科作為技術(shù)全球領(lǐng)先的第三代半導體公司，在8英寸硅基氮化鎵核心技術(shù)和關(guān)鍵工藝領(lǐng)域已實現(xiàn)重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化鎵量產(chǎn)平臺，實現(xiàn)了中國第三代半導體零的突破。
英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 公司核心技術(shù)團隊由眾多資深的國際一流半導體專家組成，我們相信GaN可以改變世界，我們的目標是以更低的價格，向客戶提供品質(zhì)一流、可靠性優(yōu)異的GaN器件，并且實現(xiàn)GaN技術(shù)在市場的廣泛應用。
英諾賽科的核心技術(shù)團隊由半導體和（電力）電子行業(yè)的專家和資深人士組成。 他們均來自世界一流的領(lǐng)先公司，在硅基氮化鎵技術(shù)的開發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)方面擁有豐富的經(jīng)驗。
此外，為了展示英諾賽科在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域擁有的潛力，并更加順利地推廣產(chǎn)品，英諾賽科還匯集了系統(tǒng)工程領(lǐng)域的專家，用于進行面向特殊應用和客戶的開發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。
英諾賽科（Innoscience）創(chuàng)立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體氮化鎵（GaN ）的生產(chǎn)基地。
公司成立之初，英諾賽科的創(chuàng)始人就深知，如果想實現(xiàn)氮化鎵技術(shù)在市場上的廣泛應用，產(chǎn)品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場上要進行大規(guī)模推廣，還需要解決另外三個痛點：首先是成本，具備合理的價格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力，以應對市場的爆發(fā)。第三，要確保器件供應鏈穩(wěn)定，有了穩(wěn)定的貨源供應，客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開發(fā)，無需擔心因氮化鎵器件供應戰(zhàn)略的變化而導致停產(chǎn)。因此，Innoscience 明白，只有擴大 GaN 器件的產(chǎn)能并擁有自主可控的生產(chǎn)線，才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場上進行大規(guī)模推廣的三個痛點（價格、數(shù)量和供應安全）。
從一開始，英諾賽科就戰(zhàn)略性地將采用8英寸晶圓，與6英寸相比，8英寸晶圓的器件數(shù)量比6英寸晶圓多80%。同時，英諾賽科采用C-MOS工藝，以便將多年來在三極管生產(chǎn)領(lǐng)域積累的經(jīng)驗和優(yōu)化措施應用在氮化鎵晶圓的生產(chǎn)工藝中。
今天，英諾賽科已實現(xiàn)了最初的規(guī)劃。目前，公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，采用最先進的8英寸生產(chǎn)工藝，是全球產(chǎn)能最高的氮化鎵器件廠商。
目前，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能達到每月10000片，并將逐漸擴大至每月70000片以上。
我們能取得這些成就，離不開招銀國際、SK、ARM和CATL等世界級投資方的支持。
我們設(shè)計、開發(fā)和制造涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）面向各種應用的高性能、高可靠性的氮化鎵功率器件。同時，因為我們擁有大規(guī)模量產(chǎn)能力、采用8英寸先進的生產(chǎn)工藝，所以在產(chǎn)能、器件性能、可靠性、工藝穩(wěn)定性及價格合理性都具有顯著的競爭優(yōu)勢。我們與眾多客戶和合作伙伴攜手致力于氮化鎵技術(shù)相關(guān)系統(tǒng)和解決方案的開發(fā)。
我們設(shè)計、開發(fā)和制造涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）的氮化鎵功率器件、面向各種應用的高性能、高可靠性的氮化鎵器件。
我們擁有先進的光刻技術(shù)，能生產(chǎn)線寬較小的器件，從而顯著提升器件的性能。我們?yōu)榭蛻籼峁┮徽臼椒?，能滿足客戶對高壓、低壓的各種需求。我們的大規(guī)模量產(chǎn)能力及8英寸先進生產(chǎn)工藝，能確保器件的穩(wěn)定供應及合理價格。這些都是保障氮化鎵能夠大規(guī)模商業(yè)化應用的必要條件。
同時，我們持續(xù)創(chuàng)新與提升技術(shù)，保證英諾賽科始終走在氮化鎵領(lǐng)域的前沿。我們已經(jīng)擁有完整的技術(shù)路線圖，能滿足客戶不同應用方向的不同需求，同時也能針對客戶的特殊需求定制解決方案。
英諾賽科擁有珠海及蘇州兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，采用先進的生產(chǎn)工藝及來的最先進的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)設(shè)備。擁有來自國際一流半導體企業(yè)的技術(shù)專家和資深人士，保障了產(chǎn)品的質(zhì)量與產(chǎn)能。
此外，英諾賽科通過國際標準（如ISO9001和IATF16949）的認證，采用先進的質(zhì)量管理系統(tǒng)（QMS），持續(xù)改進生產(chǎn)質(zhì)量工藝。
在可靠性方面，英諾賽科具備擁有出眾的晶圓級、封裝級以及系統(tǒng)級的測試能力，對系列產(chǎn)品及產(chǎn)品迭代開展常規(guī)的檢測，以滿足JEDEC標準。同時，我們還可根據(jù)客戶特殊的需求定制檢測方案。
迄今為止，英諾賽科器件出貨已超百萬顆，因器件性能或可靠性問題的返廠率為0%。這再一次證明英諾賽科器件的卓越性能。
英諾賽科全球最大的8英寸硅基氮化鎵器件制造商。我們將針對您的需求，為您定制開發(fā)解決方案，給您提供樣品及開發(fā)器件，同時也與您一共開發(fā)基于英諾賽科器件的解決方案。
我們的系統(tǒng)工程師團隊全力為客戶提供支持，根據(jù)您的應用需求，共同開發(fā)DEMO板。建立個性化的解決方案。
綜上所述，合作共贏，是英諾賽科始終的信念，我們相信氮化鎵能夠獲得成功，贏得市場。您的成功，就是我們的成功。
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